반도체의 혁신, 포토공정(Photolithography)의 모든 것



반도체의 혁신, 포토공정(Photolithography)의 모든 것

제가 직접 경험해본 바로는 포토공정은 반도체 제조 공정 중 가장 시간이 많이 소요되고 비용이 많이 드는 단계입니다. 이 글에서는 포토공정의 세부 사항과 함께 각 과정의 중요성에 대해 자세히 알아보겠습니다.

포토공정의 기본 흐름 이해하기

포토공정의 흐름은 크게 세 단계로 나눌 수 있습니다.

 

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  1. PR 도포 단계

포토레지스트(PR: Photo Resist)를 웨이퍼(Wafer) 위에 도포합니다. PR은 소수성 물질이기 때문에 웨이퍼에 잘 달라붙지 않아요. 이를 위해 HMDS(Hexa-Methyl-Di-Silazane)라는 접착제를 먼저 도포하여 PR이 잘 붙도록 합니다. 이 과정을 통해 아래의 표와 같은 주문을 완료하죠.

단계 설명
PR 도포 웨이퍼 위에 PR을 도포
HMDS 도포 PR이 잘 붙기 위한 접착제 도포
Spin Coating Track장비를 통해 PR 코팅

2. 열처리 과정

웨이퍼에 PR을 도포한 후, 이를 일정 온도로 구워줍니다. 이 과정을 Prebake라고 하며, PR에 남아 있는 용매를 증발시키기 위해 필요해요. 적절한 온도로 가열하지 않으면 PR이 찢어지거나 Development가 깨끗하게 되지 않을 수도 있어요. 그래서 주의가 필요해요.

Prebake의 중요성

  • 정상적인 Development을 위해 용매 제거
  • 온도가 낮으면 PR 찢어짐
  • 온도가 높으면 Negative PR의 원하지 않는 부분도 Cross-linking

3. 노광 및 현상

웨이퍼를 적절히 구워준 후, 노광 장비로 이동합니다. 여기서 미세 패턴이 새겨진 마스크를 통해 빛을 투사하게 됩니다. 이후, 개발액(Developer)을 사용하여 빛을 받아 제거된 부분을 없애고, 최종적으로 회로 패턴이 새겨진 웨이퍼를 확인합니다.

과정 설명
노광 미세 패턴을 웨이퍼에 투사
현상 빛을 받아 제거된 PR 제거
검사 및 Rework 불량 패턴 제거 및 재작업

포토레지스트(PR)의 역할과 성분

다음으로 포토레지스트의 성분과 역할에 대해 설명드릴게요. PR은 크게 Positive PRNegative PR로 나뉘어요. Positive PR은 노광된 부분이 제거되고, Negative PR은 그 반대로 작용하죠.

PR 구성 성분

Positive PR은 주로 세 가지 성분으로 구성됩니다:

  • Solvent: PR의 점도를 조절하고, edge bead를 방지합니다.
  • PAC: 빛을 받으면 활성화되어 PR의 고분자 구조를 약화합니다.
  • Resin: 폴리머로 PR의 기본 성분입니다.

PR의 다양한 성질

리스트로 정리하자면,

  1. PR의 종류
  2. Positive PR
  3. Negative PR

  4. 구성 성분

  5. Solvent
  6. PAC
  7. Resin

이러한 성분들이 잘 조화를 이루어야만 효율적으로 공정이 이루어져요.

노광 과정의 중요성과 방법

노광 과정에서 매우 중요한 것은 사용되는 빛의 파장이에요. 파장이 짧을수록 미세한 패턴을 웨이퍼에 새길 수 있기 때문이죠. 여기에 따라서 노광 방식도 다양해요.

노광 방식

  • Contact 방식: 마스크와 웨이퍼가 직접 접촉하여 빛을 투사하는 방식. 비용이 저렴하지만 마스크 손상 위험이 있음.
  • Proximity 방식: 마스크와 웨이퍼 사이에 간격을 두고 빛을 투사. 회절 효과로 인해 초점 문제가 있음.
  • Projection 방식: 렌즈를 사용하여 마스크형상을 축소시켜 웨이퍼에 투사하는 방식. 가장 효과적이며 고해상도를 나타냄.

각 방식의 활용 예

아래 표처럼 각 방식의 장단점을 정리해볼까요?

방식 장점 단점
Contact 저렴한 비용 마스크 손상 위험
Proximity 간편한 구현 초점 문제가 발생 가능
Projection 고해상도, 높은 생산성 장비 비용이 비쌈

물론 각 방식의 장단점은 다르니, 상황에 맞는 적절한 방식을 선택하는 것이 핵심이에요.

최신 포토공정 기술과 동향

마지막으로, 최신 포토공정 기술 및 동향에 대해 알아보겠습니다. 특히 PSM(Phase Shift Mask)OPC(Optical Proximity Correction)는 현재 공정에서 중요한 역할을 하고 있어요.

PSM의 이해

PSM 기술은 마스크 패턴을 통과한 빛이 서로 간섭하여 생기는 문제를 해결해 주며, 제거할 부분만 정확히 제거할 수 있도록 돕습니다.

OPC와 마스크 보정

OPC는 포토공정에서 발생할 수 있는 오차를 보정하는 방법으로, 이를 통해 마스크의 정확한 이미지를 웨이퍼에 구현하는 기술입니다. 이를 통해 보다 정확한 패턴 구현이 가능해요.

자주 묻는 질문 (FAQ)

포토공정의 주된 목적은 무엇인가요?

포토공정은 반도체 제조에서 회로 패턴을 웨이퍼에 정확히 구현하기 위한 과정입니다.

포토레지스트는 어떤 역할을 하나요?

포토레지스트는 빛을 받아서 노출된 부분을 제거하는 역할을 합니다.

How can one improve resolution in photolithography?

Resolution can be improved by using shorter wavelengths of light and enhancing the numerical aperture (NA) of the lenses used.

What are the common issues encountered in photolithography?

Common issues include misalignment of masks, defects in photoresist, and issues with lens focusing.

위와 같이 포토공정은 반도체의 성능과 제조 단가에 큰 영향을 미치기 때문에 매우 중요합니다. 각 과정이 체계적으로 이루어져야만 최종 제품의 품질이 향상될 수 있어요. 궁금한 점이나 추가적인 의견이 있으시면 언제든지 댓글로 남겨주세요!

키워드: Photolithography, 반도체, 포토공정, PR, Exposure, PEB, Resolution, PR 도포, OPC, PSM, 공정 기술

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